英特爾創(chuàng)始戈登摩爾在60多年前提出摩爾定律,描述電子器件在近幾十年來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。指的是每18-24個(gè)月,電子器件的集成密度會(huì)翻倍。隨著器件的特征尺寸逐漸逼近了材料和器件的物理極限,大家發(fā)現(xiàn)這個(gè)摩爾定律失效了,由于后摩爾時(shí)代就出現(xiàn)了。王琳老師介紹道:“后摩爾時(shí)代有兩條常規(guī)的發(fā)展路徑。一是 “More Moore”(延續(xù)摩爾),更多的是采用更加激進(jìn)的方法將器件的特征尺寸更加微縮化,使得集成密度提升到更高水平,主要是從尺寸集成角度來(lái)講,希望材料能有底層的創(chuàng)新。第二是超越摩爾,也就是“More than Moore”。更多的是強(qiáng)調(diào)單一的器件功能的豐富化,比如把傳感、存儲(chǔ)、計(jì)算等功能集成在一個(gè)單一器件,使得器件功能更加豐富,從而提升集成的密度。這樣單位面積上的器件的數(shù)量和功能得到很大提升,滿足大家對(duì)集成器件更高的要求。
搭建在顯微鏡上的圓偏振發(fā)光(CPL)
王琳老師近年部分研究聚焦在低維材料的圓偏振發(fā)光中。課題組近期《NANO LETTERS》上發(fā)表了一篇文章(Stimulating and Manipulating Robust Circularly Polarized Photoluminescence in Achiral Hybrid Perovskites),文章通過(guò)二維的范德華力把二維非手性鈣鈦礦和二維手性鈣鈦礦連接起來(lái),制備得到的材料在室溫下的CPL強(qiáng)度有了數(shù)量級(jí)的提升。王琳老師分享了課題組在圓偏振顯微鏡的搭建的經(jīng)驗(yàn):“圓偏振發(fā)光顯微系統(tǒng)的搭建需要用到四分之一玻片,我們可以在譜儀的激發(fā)或者發(fā)射端通過(guò)四分之一玻片的加入實(shí)現(xiàn)CPL特性的測(cè)量。CPL特性有三種測(cè)量方法:激發(fā)側(cè)起偏、發(fā)射側(cè)檢偏和二者的結(jié)合。CPL也是表征二維材料如二硫化鉬、二硒化鉬等材料的一種重要方法。CPL*大應(yīng)用方向是自旋光電子器件,我們以前主要考慮電荷傳輸及電荷量,但是經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)自旋作為載流子另外一個(gè)維度的調(diào)控,可以進(jìn)一步豐富器件的功能,出現(xiàn)很多新奇的特性,而圓偏振光在這個(gè)方面是很好的表征手段。”